[发明专利]光子集成电路及其制造方法和基板以及半导体激光器

权利要求书

1.一种光子集成电路PIC，包括：

半导体激光器，其包括锥形激光器配合表面和接触表面；以及

基板，其包括形成在所述基板中的锥形基板配合表面和凹陷着陆区域，其中，所述锥形基板配合表面被配置成接触所述半导体激光器的锥形激光器配合表面，并且其中，所述凹陷着陆区域包括被配置成与所述半导体激光器的接触表面形成电连接的接触垫。

2.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述锥形激光器配合表面的形状和所述锥形基板配合表面的形状被配置成当向所述半导体激光器施加外力时将所述半导体激光器与所述基板对准。

3.根据权利要求2所述的PIC，其中，所述锥形激光器配合表面的边缘被配置成当将所述半导体激光器与所述基板对准时接触所述锥形基板配合表面。

4.根据权利要求3所述的PIC，其中，所述基板的后壁被配置成当将所述半导体激光器与所述基板对准时接触所述半导体激光器的后部部分，并且所述基板的侧壁被配置成当将所述半导体激光器与所述基板对准时接触所述半导体激光器的侧表面。

5.根据权利要求4所述的PIC，其中，所述半导体激光器的侧表面的一部分被配置成当将所述半导体激光器与所述基板对准时位于所述基板的间隙部分上方。

6.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述锥形激光器配合表面的第一边缘接触所述锥形基板配合表面，并且所述锥形激光器配合表面的第二边缘不接触所述锥形基板配合表面。

7.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述锥形基板配合表面包括弯曲边缘，其中，所述弯曲边缘被配置成在将所述半导体激光器与所述基板对准期间散布施加到所述半导体激光器的外力。

8.根据权利要求1所述的PIC，还包括：

形成在所述基板上的波导，其中，所述半导体激光器包括激光器端面，并且其中，所述波导被配置成接收离开所述激光器端面的激光束。

9.根据权利要求8所述的PIC，其中，所述激光器端面成角度并且所述波导的引导边缘成角度，并且其中，所述激光器端面的角度和所述波导的引导边缘的角度被配置成减少所述激光束从所述波导背反射到所述激光器端面中。

10.根据权利要求9所述的PIC，其中，所述激光器端面和所述波导的引导边缘在相同方向上成角度。

11.根据权利要求1所述的PIC，其中，焊料位于所述接触垫与所述半导体激光器的接触表面之间。

12.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述凹陷着陆区域还包括：

焊料层，其位于所述接触垫上；以及

溢流区域，其被配置成从位于所述接触垫上的所述焊料层接收焊料。

13.根据权利要求12所述的PIC，其中，所述溢流区域被配置成通过从所述焊料层拉动所述焊料远离所述接触垫来接收所述焊料。

14.一种制造光子集成电路PIC的方法，所述方法包括：

将半导体激光器布置在基板上，其中，所述半导体激光器包括锥形激光器配合表面和接触表面，其中，所述基板包括形成在所述基板中的锥形基板配合表面和凹陷着陆区域；其中，所述锥形激光器配合表面被配置成接触所述锥形基板配合表面，并且其中，所述凹陷着陆区域包括被配置成与所述半导体激光器的接触表面形成电连接的接触垫；以及

使用所述激光器配合表面的形状和所述基板配合表面的形状将所述半导体激光器与所述基板对准。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：

在从所述半导体激光器朝向所述基板的方向上对所述半导体激光器施加外力。