[发明专利]一种图案化光敏BCB半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010106815.3 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111399350A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 黄鹤;张恩;李紫谦;许海明 | 申请（专利权）人： | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图案化光敏BCB半导体结构的制备方法，包括S1，在外延结构的衬底表面生长第一层二氧化硅薄膜，并在第一层二氧化硅薄膜上制作第一个光刻胶图形；S2，制作完成后，去除曝光区域的第一层二氧化硅薄膜，并采用碱溶液去除表面的光刻胶；S3，在剩余的第一层二氧化硅薄膜上涂覆光敏BCB，并光刻光敏BCB直至暴露出衬底，然后进行固化，并刻蚀光敏BCB；S4，在图案化的光敏BCB表面沉积第二层二氧化硅薄膜，并在第二层二氧化硅薄膜上制作第二个光刻胶图形；S5，制作完第二个光刻胶图形后，去除曝光区域的第二层二氧化硅薄膜，并采用有机溶液去除表面的光刻胶。本发明解决了在半导体工艺制造过程中光敏BCB遇碱性溶液发生反应而破裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 光敏 bcb 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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