[发明专利]加工方法在审
| 申请号： | 202010106408.2 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111613528A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 包家亘 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/67;B24B27/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供加工方法，缩短被加工物的加工时间。利用具有对被加工物进行保持的保持工作台和喷射加工液的喷射喷嘴的加工装置对设定有沿着第1方向的第1加工预定线和沿着第2方向的第2加工预定线的被加工物进行加工，加工方法具有如下步骤：第1定位步骤，使被加工物的第1方向与加工进给方向一致并将喷射喷嘴定位于第1加工预定线的一端；第1加工步骤，利用加工液沿着第1加工预定线对被加工物进行加工；以及第2定位步骤，使保持工作台旋转而使被加工物的第2方向与加工进给方向一致，并且将喷射喷嘴定位于第2加工预定线的一端，在第2定位步骤中，按照在保持工作台的旋转中加工液被持续喷射至被加工物的方式使保持工作台和喷射喷嘴相对地移动。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010106408.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
