[发明专利]一种微压传感器的制作工艺方法有效

专利信息
申请号: 202010103197.7 申请日: 2020-02-19
公开(公告)号: CN111238714B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 赵晓锋;武静;刘义波;温殿忠 申请(专利权)人: 黑龙江大学
主分类号: G01L9/06 分类号: G01L9/06;G01L1/18
代理公司: 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 代理人: 刘冬梅;范国锋
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种微压传感器及其制作工艺方法,所述微压传感器包括SOI衬底,在所述SOI衬底上设置有弹性元件和敏感元件,以实现对外加微压的测量;其中,弹性元件包括弹性硅膜和四个梯形梁结构,敏感元件为梯形梁结构上四个压敏电阻构成的惠斯通电桥结构。本发明通过微电子机械加工技术在SOI晶圆上制作弹性硅膜、四个梯形梁结构和四个压敏电阻,具有集成化和小型化的特点,构成的微压传感器能够实现对外加压力的检测且能实现微压测量。
搜索关键词: 一种 传感器 制作 工艺 方法
【主权项】:
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