[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 202010099468.6 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111180342B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 丛茂杰;谢志平;冀亚欣;宋金星 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法。在依次形成第一介质层和屏蔽电极之后，直接刻蚀第一介质层高于屏蔽电极的部分，以使刻蚀后的第一介质层在高于屏蔽电极的部分由下至上厚度依次减小，从而可以修饰位于屏蔽电极上方的上沟槽的形貌，如此即能够降低绝缘填充层的填充难度，提高绝缘填充层在上沟槽中填充性能避免出现空隙，进而在后续刻蚀绝缘填充层以形成隔离层时，即可以形成无缺口的隔离层，保障栅电极和屏蔽电极之间的相互隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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