[发明专利]一种新型沟槽碳化硅晶体管器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010087560.0 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111276545B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;何钧;刘敏 | 申请（专利权）人： | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/739;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 重庆西南华渝专利代理有限公司 50270 | 代理人： | 郭桂林 |
| 地址： | 400700 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 一种新型沟槽碳化硅晶体管器件及其制作方法，在MOSFET或IGBT的基础上，利用刻蚀等手段，将主结边缘刻蚀成双台面形状，分别为第二导电类型阱区台面和外延层台面，达到改变器件中结边缘的形貌的目的，从而改善结附近表面的电场分布，缓解结边缘附近电场集中，提高器件反向击穿电压，提高了器件耐压性能和器件可靠性。在不增大器件元胞面积的情况下，降低了栅介质层的电场聚集，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 沟槽 碳化硅 晶体管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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