[发明专利]铜银合金微米柱的低温电沉积制备方法在审
| 申请号： | 202010084923.5 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113249725A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 赵东旭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C23C28/02 | 分类号： | C23C28/02;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58;C25D3/58;C22C9/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种铜银合金微米柱的低温电沉积制备方法，包括：S1、采用磁控溅射法在衬底上沉积一层铜薄膜；S2、采用光刻法在铜薄膜上制备至少一个圆孔；S3、以硫酸铜和硝酸银为电解液、高纯铜银合金板为阳极、沉积有铜薄膜的衬底为阴极，在0‑10℃下采用电化学沉积法在该衬底上制备铜银合金复合微米柱。本发明利用低温电沉积方法在衬底上生长出尺寸均一的铜银合金微米柱，这种低温电沉积方法能够实现铜银合金微米柱的生长，有利于制作微电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 微米 低温 沉积 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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