[发明专利]基准电压电路以及半导体装置在审
| 申请号： | 202010077657.3 | 申请日： | 2020-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111552344A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 坂口薰 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基准电压电路以及半导体装置。基准电压电路具备第1MOS晶体管对和第2MOS晶体管对，其中，所述第1MOS晶体管对具备：第一导电型增强型的第1MOS晶体管，其栅极与漏极连接；和第一导电型耗尽型的第2MOS晶体管，其栅极与第1MOS晶体管的源极连接，源极与第1MOS晶体管的漏极连接，漏极与输出端子连接，所述第2MOS晶体管对具备：第一导电型增强型的第3MOS晶体管，其栅极和漏极与输出端子连接，源极与第2MOS晶体管的源极连接；和第一导电型耗尽型的第4MOS晶体管，其栅极与第3MOS晶体管的源极连接，源极与输出端子连接，全部MOS晶体管在弱反型区中工作。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 电路 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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