[发明专利]基准电压电路以及半导体装置在审
| 申请号： | 202010077657.3 | 申请日： | 2020-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111552344A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 坂口薰 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基准 电压 电路 以及 半导体 装置 | ||
1.一种基准电压电路，其特征在于，
所述基准电压电路具备第1MOS晶体管对、第2MOS晶体管对以及输出端子，
所述第1MOS晶体管对具备：
第一导电型增强型的第1MOS晶体管，其栅极与漏极连接；和
第一导电型耗尽型的第2MOS晶体管，其栅极与所述第1MOS晶体管的源极连接，源极与所述第1MOS晶体管的漏极连接，漏极与所述输出端子连接，
所述第2MOS晶体管对具备：
第一导电型增强型的第3MOS晶体管，其栅极和漏极与所述输出端子连接，源极与所述第2MOS晶体管的源极连接；和
第一导电型耗尽型的第4MOS晶体管，其栅极与所述第3MOS晶体管的源极连接，源极与所述输出端子连接，
全部MOS晶体管在弱反型区中工作。
2.根据权利要求1所述的基准电压电路，其特征在于，
所述第1MOS晶体管对由多个MOS晶体管对构成。
3.根据权利要求1所述的基准电压电路，其特征在于，
所述基准电压电路具备第一导电型增强型的第5MOS晶体管，该第5MOS晶体管的栅极和漏极与所述第1MOS晶体管的源极连接，该第5MOS晶体管的源极与所述第2MOS晶体管的栅极连接，该第5MOS晶体管在弱反型区中工作。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基准电压电路，其特征在于，
所述基准电压电路具备输出电路，该输出电路具有介于所述第4MOS晶体管的源极与所述输出端子之间并且在弱反型区中工作的第一导电型耗尽型的第6MOS晶体管和第二导电型增强型的第7MOS晶体管。
5.一种半导体装置，其中，
所述半导体装置具备权利要求1至3中的任一项所述的基准电压电路。
6.一种半导体装置，其中，
所述半导体装置具备权利要求4所述的基准电压电路。
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