[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 202010058946.9 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111223938B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 黛哲;马克·费希尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/267 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及晶体管。一些实施例包含在第一半导体材料上具有第二半导体材料的构造。归因于所述第一及第二半导体材料的不同晶格特性，所述第二半导体材料接近所述第一半导体材料的区域具有应变。晶体管栅极向下延伸到所述第二半导体材料中。栅极电介质材料是沿着所述晶体管栅极的侧壁及底部。源极/漏极区域是沿着所述晶体管栅极的所述侧壁，且所述栅极电介质材料处于所述源极/漏极区域与所述晶体管栅极之间。沟道区域在所述源极/漏极区域之间延伸且处于所述晶体管栅极的所述底部下方。所述沟道区域中的至少一些处于所述应变区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
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