[发明专利]一种常压下硅基锗纳米点的制备方法有效
| 申请号： | 202010042736.0 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111235528B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;魏宇;韩斌;尚林;郝晓东;单恒升;许并社 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 姬莉 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种常压下硅基锗纳米点的制备方法，属于锗纳米点制备技术领域。该制备方法包括清洗硅片；在干燥后的硅片上喷铂金层，将处理好的硅片放到条形容器的一端，另一端放入锗粉，盖上盖子，然后对装有锗粉的一端进行加热，同时向条形容器内通入氩气，氩气自装有锗粉的一端进入条形容器，直至加热结束，经降温后得硅基锗纳米点。本发明的制备方法技术易操作，设备简单，设备价格较低，没有污染物，生长周期短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压下 硅基锗 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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