[发明专利]一种常压下硅基锗纳米点的制备方法有效
| 申请号： | 202010042736.0 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111235528B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;魏宇;韩斌;尚林;郝晓东;单恒升;许并社 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 姬莉 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压下 硅基锗 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种常压下硅基锗纳米点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、清洗硅片；
S2、在干燥后的硅片上喷铂金层：
S3、将处理好的硅片放到长条形的容器一端，容器另一端放入锗粉，容器加盖，然后对容器装有锗粉的一端进行加热，同时向容器内通入氩气，氩气自装有锗粉的一端进入容器，直至加热结束，经降温后得硅基锗纳米点；
所述加热及降温方法具体是：先从室温升温至800℃-850℃，以每分钟3℃-5℃的上升速率，温度升至800℃-850℃时，保温2h，然后降温至90℃-100℃，降温速率为每分钟3℃-5℃，最后自然降温。
2.如权利要求1所述的常压下硅基锗纳米点的制备方法，其特征在于，所述硅片用丙酮溶液超声清洗15-20分钟，去除硅片表面有机物，再用去离子水冲洗干净。
3.如权利要求1所述的常压下硅基锗纳米点的制备方法，其特征在于，所述铂金层厚度为3nm-4nm。
4.如权利要求1所述的常压下硅基锗纳米点的制备方法，其特征在于，所述硅片的尺寸为1cm×1cm，锗粉的质量为0.5g-1g。
5.如权利要求1所述的常压下硅基锗纳米点的制备方法，其特征在于，所述容器为圆底瓷舟。
6.如权利要求1所述的常压下硅基锗纳米点的制备方法，其特征在于，所述加热在管式炉内进行。
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