[发明专利]一种压控三态磁存储单元的实现方法有效
| 申请号： | 202010040488.6 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111244268B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;刘梦丽;杜伟;苏桦 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L41/29;H01L41/31 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种压控三态磁存储单元的实现方法，属于磁存储技术领域。以压电基片作为基底，在压电基片的上下表面生长导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，然后在上电极上依次形成磁性存储层和保护层，其中，所述磁性存储层的磁矩初始态为45度角方向，此时可获得一中间值大小的电阻态，在压电基片上施加不同大小的电压，可获得高电阻态和低电阻，这样就可实现高、中、低三种电阻态。本发明通过在压电基片上不施加、施加大于或小于压电基片矫顽电场的电压，来获得高、中、低三种稳定的存储态实现三态存储。由于该三种存储状态只需通过电压大小调制，因此具有结构简单、容易设计且功耗低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三态 存储 单元 实现 方法 | ||
【主权项】：
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