[发明专利]一种压控三态磁存储单元的实现方法有效
| 申请号： | 202010040488.6 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111244268B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;刘梦丽;杜伟;苏桦 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L41/29;H01L41/31 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三态 存储 单元 实现 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种压控三态磁存储单元的实现方法，其特征在于，以压电基片作为基底，在压电基片的上下表面生长导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，然后在上电极上依次形成磁性存储层和保护层，其中，所述磁性存储层的磁矩初始态为45度角方向；通过在压电基片上不施加电压、施加电压产生正应变、施加电压产生负应变，获得高、中、低三种存储态；
所述磁性存储层为NiCo、CoFe、Co或CoFeB；在磁性存储层制备时，沿与存储单元长轴45度角方向施加沉积磁场，使磁性存储层的磁矩沿与存储单元长轴呈45度角的方向。
2.根据权利要求1所述的压控三态磁存储单元的实现方法，其特征在于，所述压电基片为在电压作用下能产生正和负应变的压电材料。
3.根据权利要求1所述的压控三态磁存储单元的实现方法，其特征在于，所述压电基片为PMN-PT或PZN-PT。
4.根据权利要求1所述的压控三态磁存储单元的实现方法，其特征在于，所述磁性存储层厚度为20～300nm。
5.根据权利要求1所述的压控三态磁存储单元的实现方法，其特征在于，所述磁性存储层的形状为矩形或椭圆形。
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