[发明专利]一种芯片用小型化镀装置在审
| 申请号： | 202010039710.0 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111270226A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 周汉川;肖黎明 | 申请（专利权）人： | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/16 | 分类号： | C23C18/16 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 吴静 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及芯片的金属生长技术领域，提供了一种芯片用小型化镀装置，包括具有内腔的外壳，还包括用于加热充斥在所述内腔中的化镀液的加热组件、用于控制所述加热组件的加热温度的控制模块以及用于搅拌所述化镀液的搅拌组件，所述加热组件具有用于安置待处理晶圆的安置位。本发明的一种芯片用小型化镀装置，通过控制模块来控制加热组件的温度，并通过搅拌组件来控制反应均匀性的问题，化镀效果好且整体结构简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 小型化 装置 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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