[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010032452.3 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113113485B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成源漏掺杂层；在源漏掺杂层上形成介质层；依次刻蚀介质层、位于介质层底部的源漏掺杂层以及位于源漏掺杂层底部的部分厚度衬底，形成接触孔；在接触孔的底部、接触孔侧壁上形成保护层；在接触孔底部的保护层上形成牺牲层，牺牲层覆盖接触孔侧壁的部分保护层；去除牺牲层未覆盖的保护层；去除牺牲层；本发明一方面在后续的工艺中能够减少源漏掺杂层与位于源漏掺杂层上的导电层之间的接触电阻，提高半导体器件的电学性能和减少了半导体器件在使用过程中出现的热效应，同时避免了硅化层与衬底之间的漏电问题，提高了形成的半导体器件性能的可靠性和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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