[发明专利]一种SOI作为衬底的晶圆外延制造方法在审
| 申请号： | 202010031562.8 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111199882A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 顾海权;韩旭;尤晓杰;王银海 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI作为衬底的晶圆外延工艺，包括以下工艺步骤：(1)将SOI衬底在49％浓度的HF酸液中漂洗30秒，清水中漂洗8分钟，然后进入1#液中漂洗5分钟，再进入清水中漂洗干净后甩干备用；以尽可能去除表面颗粒等；(2)在外延淀积之前使用HCl小流量腐蚀表面，将衬底表面晶格缺陷最严重的部分剥掉；(3)气腐后先进行1100℃退火2～10min，进一步降低衬底表面晶格损伤；(4)1100～1180℃高温外延淀积，使淀积过程产生的缺陷尽可能减少。本发明提供的技术方案能够有效提高SOI材料的外延层质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 作为 衬底 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
