[发明专利]LED芯片结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202010031515.3 申请日: 2020-01-13
公开(公告)号: CN111200046B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 李祈昕;刘宁炀;陈志涛;李叶林;曾昭烩;任远;曾巧玉 申请(专利权)人: 广东省半导体产业技术研究院
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 严诚
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明的实施例提供了一种LED芯片结构及其制作方法,涉及半导体技术领域。本发明实施例的LED芯片结构的制作方法包括在金属阻挡层制作前,对金属反射镜的表面进行平滑化处理,再沉积制作金属阻挡层。然后,对金属反射镜和金属阻挡层的组合结构进行退火处理。通过此制作方法,在保证反射镜良好性能的前提下,提高阻挡层金属的沉积质量,减小金属阻挡层的应力作用,并显著简化工艺调整过程,增强工艺的可移植性和兼容性,提升了LED芯片结构的可靠性。本发明实施例提供的LED芯片结构通过本发明实施例的制作方法制得,其金属阻挡层和金属反射镜的结合性好,因此具有较高的可靠性。
搜索关键词: led 芯片 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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