[发明专利]一种金属二碲化物纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010031489.4 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113104820A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吴长征;彭晶;郭宇桥;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00;C30B9/12;C30B29/46;C30B29/64;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二碲化物纳米片的制备方法，包括：S1)在高压条件下，将金属二碲化物晶体、碱金属盐与非质子溶剂混合反应，得到插入碱金属离子的中间体；S2)将所述插入碱金属离子的中间体在质子溶剂中进行剥离，得到二碲化物纳米片。与现有技术相比，本发明通过在高压条件下，将碱金属离子插入金属二碲化物层间，扩大了层间距的同时保证了其平面的结晶性和完整性；然后在质子溶剂中进行快速膨胀解离，充分利用溶剂分子进入中间体层间，进一步扩大层间距从而克服金属二碲化物材料的层间范德华力，同时有效地保护了层内的化学键，从而得到了大尺寸高质量的二碲化物纳米片；该方法利用溶液反应，方法简单，产率高，过程可控，可宏量化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 二碲化物 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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