[发明专利]隔离结构的制造方法和喷涂装置有效
| 申请号： | 202010027443.5 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN113113348B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 吴子见;吴天成 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隔离结构的制造方法和喷涂装置，隔离结构的制造方法包括：提供基板以及位于基板上的叠层结构，叠层结构内具有多个沟槽；进行第一旋转动作，旋涂第一预湿溶剂于叠层结构顶表面和沟槽内壁；在进行第一旋转动作之后，进行第二旋转动作，旋涂第二预湿溶剂于叠层结构顶表面和沟槽内壁；第二旋转动作之后的沟槽侧壁的表面张力小于第一旋转动作后的沟槽侧壁的表面张力；在进行第二旋转动作之后，涂覆涂布液于叠层结构上；在将涂布液涂覆在叠层结构之后，静置涂布液；在涂布液静止预设时间后，旋转基板，使涂布液填充满沟槽。本发明能够提高隔离结构的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制造 方法 喷涂 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
