[发明专利]扇出型晶片级芯片尺寸封装和制造方法在审

专利信息
申请号: 202010024571.4 申请日: 2020-01-10
公开(公告)号: CN111725074A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 黑濑英司 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/544;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明题为“扇出型晶片级芯片尺寸封装和制造方法”。在一般方面,一种用于生产扇出型晶片级封装半导体器件的方法可以包括:将半导体晶片分离成多个半导体管芯;以及在将半导体晶片分离成多个半导体管芯之后,增加多个半导体管芯之间的间距。该方法还可以包括:将多个半导体管芯包封在模塑料中;以及确定设置在模塑料内的一个或多个对准特征的相应位置。该方法还可以进一步包括基于确定的相应位置在模塑料中形成一个或多个对准标记。
搜索关键词: 扇出型 晶片 芯片 尺寸 封装 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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