[发明专利]厚度测量装置在审
| 申请号： | 202010013915.1 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111430254A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 木村展之;能丸圭司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供厚度测量装置，能够在大范围内高效地测量板状物的厚度。厚度测量装置的厚度测量单元包含：白色光源；分光构件，其使从白色光源射出的白色光与每个波长对应地产生时间差而进行分光；二维图像传感器，其具有受光区域，该受光区域具有多个像素，该像素接收向板状物照射被分光构件分光后的光而从板状物的上表面和下表面反射的返回光；存储部，其将该像素通过时间差而依次接收的与分光后的波长对应的返回光的强度作为分光干涉波形而按每个像素进行存储；以及波形表，其将多种样本分光干涉波形与板状物的厚度对应地进行记录。 | ||
| 搜索关键词： | 厚度 测量 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
