[发明专利]磁性存储器结构

摘要

提供具有自旋轨道转矩及电压控制磁异向性辅助型多位元SOT记忆胞结构。根据本发明实施例的磁存储单元包括重金属层和包括自由层、阻障层及固定层的磁穿隧接面元件。重金属层位于自由磁性层的下方，铜接垫位于磁穿隧接面元件的外部并沿重金属层放置。阻障层、自由层及重金属层向外延伸，大于固定层的椭圆形顶部电极层。本实施例的磁性存储器结构扩大了习知装置上的处理窗口，并且缝合到重金属层上的铜接垫用于降低单元写入电压。平面充电电流通过铜接垫施加到重金属层，正电流将SOT及VCMA磁性记忆单元驱动到高电阻状态，即从平行状态至反平行状态，而负电流的驱动而进入低电阻状态，即从反平行状态至平行状态。