[发明专利]磁性存储器结构

权利要求书

1.一种磁性存储器结构，其特征在于，包括：

一磁穿隧结构(magnetic tunneling junction,MJT)，包括：

一固定层(pinned-layer)；

一阻障层(barrier-layer)，形成于该固定层下方；及

一自由层(free-layer)，形成于该阻障层下方；

一重金属层，形成于该自由层下方；

其中，该阻障层具有一第一上表面，该固定层具有一下表面，且该第一上表面的面积大于该下表面的面积。

2.如权利要求1所述的磁性存储器结构，其特征在于，该固定层的该下表面整个位于该阻障层的该第一上表面上。

3.如权利要求1所述的磁性存储器结构，其特征在于，该阻障层、该自由层及该重金属层分别具有一第一侧表面，一第二侧表面及一第三侧表面，该第一侧表面、该第二侧表面与该第三侧表面互相对齐。

4.如权利要求1所述的磁性存储器结构，其特征在于，更包括：

一导电层，形成在该重金属层下方；

其中，该导电层的导电率高于该重金属层的导电率。

5.如权利要求4所述的磁性存储器结构，其特征在于，该导电层包括一第一导电部及一第二导电部，该第一导电部及该第二导电部分别连接该重金属层的二端。

6.如权利要求4所述的磁性存储器结构，其特征在于，该导电层具有一从该重金属层露出的第二上表面。

7.如权利要求4所述的磁性存储器结构，其特征在于，该重金属层具有一侧表面，该导电层延伸超出该重金属层的该侧表面。

8.如权利要求5所述的磁性存储器结构，其特征在于，更包括：

一介电材料层，形成该第一导电部与该第二导电部之间的间隔。

9.如权利要求5所述的磁性存储器结构，其特征在于，包括：

多个该磁穿隧结构；

其中，该重金属层形成在所有该些磁穿隧结构下方，且该些磁穿隧结构上下重叠该第一导电部与该第二导电部之间的间隔。

10.如权利要求9所述的磁性存储器结构，其特征在于，没有任何导电部设置在该第一导电部与该第二导电部之间的间隔。

11.一种磁性存储器结构，其特征在于，包括：

一磁穿隧结构；

一重金属层，形成于该磁穿隧结构下方；以及

一导电层，形成于该重金属层下方；

其中，该导电层的导电率高于该重金属层的导电率。

12.如权利要求11所述的磁性存储器结构，其特征在于，该磁穿隧结构包括一固定层、一阻障层及一自由层，且该阻障层位于该固定层与该自由层之间。

13.如权利要求12所述的磁性存储器结构，其特征在于，该阻障层具有一第一上表面，该固定层具有一下表面，该固定层的该下表面整个位于该阻障层的该第一上表面上。

14.如权利要求12所述的磁性存储器结构，其特征在于，该阻障层、该自由层及该重金属层分别具有一第一侧表面，一第二侧表面及一第三侧表面，该第一侧表面、该第二侧表面与该第三侧表面互相对齐。

15.如权利要求11所述的磁性存储器结构，其特征在于，该导电层包括一第一导电部及一第二导电部，该第一导电部及该第二导电部分别连接该重金属层的二端。

16.如权利要求11所述的磁性存储器结构，其特征在于，该导电层具有从该重金属层露出的一第二上表面。