[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010001944.6 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111180454B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 李思晢;周玉婷;汤召辉;张磊;曾凡清 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/41;H10B41/42;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成第一叠层结构，包括交替堆叠的多个层间绝缘层与栅极导体层，第一叠层结构具有第一台阶结构；形成覆盖第一台阶结构与衬底的第一填充层；形成覆盖第一叠层结构的第二叠层结构，包括交替堆叠的多个层间绝缘层与栅极导体层，第二叠层结构具有第二台阶结构；形成多个第一虚拟沟道柱，第一虚拟沟道柱的至少部分位于第二台阶结构中，至少一个第一虚拟沟道柱的顶面为第二台阶结构的台阶面。该制造方法通过将虚拟沟道柱的顶面与台阶结构的台阶面共面，解决了器件平整度差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010001944.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种数据处理方法及装置
- 下一篇：一种通信线和通信系统
