[发明专利]三维存储器的沟槽结构测量方法、装置、设备及介质有效
| 申请号： | 202010001405.2 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111223787B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 谭伟良;刘高山 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴会英;刘芳 |
| 地址： | 430078 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器的沟槽结构测量方法、装置、设备及介质，包括：获取所述三维存储器的显微图像；根据所述显微图像，确定孔道边界特征曲线；根据所述孔道边界特征曲线，确定孔道中的沟槽结构的底部位置坐标；提取所述显微图像中存储层与沟道层的交界线位置坐标；根据所述底部位置坐标和交界线位置坐标，确定沟槽结构深度；输出所述沟槽结构深度。通过对三维存储器的显微图像进行图像处理和自动识别，确定三维存储器的沟槽结构深度，由于利用了显微图像进行自动识别，可以更准确和快速的定位沟槽结构的底部位置和交界线位置，实现了对三维存储器的沟槽结构深度的自动测量，提高了测量效率和准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 沟槽 结构 测量方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
