[发明专利]三维存储器的沟槽结构测量方法、装置、设备及介质

说明书

本发明提供了一种三维存储器的沟槽结构测量方法、装置、设备及介质，包括：获取所述三维存储器的显微图像；根据所述显微图像，确定孔道边界特征曲线；根据所述孔道边界特征曲线，确定孔道中的沟槽结构的底部位置坐标；提取所述显微图像中存储层与沟道层的交界线位置坐标；根据所述底部位置坐标和交界线位置坐标，确定沟槽结构深度；输出所述沟槽结构深度。通过对三维存储器的显微图像进行图像处理和自动识别，确定三维存储器的沟槽结构深度，由于利用了显微图像进行自动识别，可以更准确和快速的定位沟槽结构的底部位置和交界线位置，实现了对三维存储器的沟槽结构深度的自动测量，提高了测量效率和准确度。

技术领域

本发明涉及存半导体存储器领域，尤其涉及一种三维存储器的沟槽结构测量方法、装置、设备及介质。

背景技术

随着存储技术的发展，平面结构的NAND闪存逐渐接近其扩展的极限，为了实现更大容量的储存功能，一种新兴的闪存技术—3D NAND(三维存储器技术)被提出，它通过垂直堆叠多层数据存储单元，从而解决了平面NAND闪存带来的限制，将存储设备的容量提升了数倍。

现有技术中，对三维存储器的存储单元的都是在高深宽比的孔道中形成的，孔道底部具有沟槽结构，沟槽结构深度是从孔道最深处到存储层与沟道层的交界处的垂直距离，沟槽结构深度能够直接决定存储器件的性能。通过对三维存储器样品进行取样、切片和观察，能够得到三维存储器样品的沟槽结构深度。

但目前，对三维存储器的沟槽结构的测量方法，还是通过手工测量，因此存在测量效率低，准确度差的问题。

发明内容

本发明提供一种三维存储器的沟槽结构测量方法、装置、设备及介质，用以解决三维存储器的沟槽结构测量过程中，测量效率低，准确度差的问题。

根据本公开实施例的第一方面，本发明提供了一种三维存储器的沟槽结构测量方法，所述方法包括：

获取所述三维存储器的显微图像；

根据所述显微图像，确定孔道边界特征曲线；

根据所述孔道边界特征曲线，确定孔道中的沟槽结构的底部位置坐标；

提取所述显微图像中存储层与沟道层的交界线位置坐标；

根据所述底部位置坐标和交界线位置坐标，确定沟槽结构深度；

输出所述沟槽结构深度。

可选地，所述根据所述显微图像，确定孔道边界特征曲线，包括：

获取所述显微图像中的每个像素点的像素信息；所述像素信息包括像素坐标和与所述像素坐标对应的像素值；

根据预设的第一图像处理策略和所述像素信息，确定孔道边界特征曲线。

可选地，所述像素坐标包括像素横坐标和像素纵坐标，所述根据预设的第一图像处理策略和所述像素信息，确定孔道边界特征曲线，包括：

获取同一像素横坐标对应的所有像素点的像素值；

计算所述对应的所有像素点的像素值的累加值；

根据每个像素横坐标下的累加值确定所述孔道边界特征曲线；所述孔道边界特征曲线的横坐标取值为所述像素横坐标对应的像素横坐标序列，纵坐标的取值为所述累加值对应的累加值序列。

可选地，所述底部位置坐标包括底部位置横坐标和底部位置纵坐标；所述根据所述孔道边界特征曲线，确定孔道中的沟槽结构的底部位置坐标，包括：

根据所述像素横坐标序列，获取所述孔道边界特征曲线的波峰位置对应的波峰横坐标；

根据所述波峰横坐标的间隔，获取孔道区间；