[发明专利]气相沉积装置及外延硅晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201980086205.7 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN113508452A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 楢原和宏;辻雅之;胡盛珀 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/24;C23C16/458 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气相沉积装置，该气相沉积装置包括圆板状的基座（3）及支承基座（3）并使其旋转的基座支承部件，在基座（3）上设置有多个嵌合沟（32），在基座支承部件上设置有分别嵌入于多个嵌合沟（32）的多个支承销（53），在嵌合沟（32）中设置：倾斜部（321B），以基座（3）的自身重量来维持支承销（53）与倾斜部（321B）接触的状态，并使该支承销（53）相对于该嵌合沟（32）沿基座（3）的圆周方向相对移动；及定位部（321A），将由倾斜部（321B）相对移动的支承销（53）定位于圆周方向的特定位置上，倾斜部（321B）及定位部（321A）向基座（3）的径向连续形成。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 装置 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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