[发明专利]硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片在审
| 申请号： | 201980086166.0 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113302718A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 石桥昌幸;M·吉田;丸冈大介 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;B24B1/00;C23C16/24;C30B25/16;C30B29/06;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
为了提供可抑制DIC缺陷的硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片，本发明提供硅外延晶片的制造方法，所述制造方法是使外延层在以{110}面或自{110}面的偏离角小于1度的面为主面的单晶硅晶片的上述主面上进行气相生长，其中，将上述单晶硅晶片的温度设为1140℃～1165℃，以0.5 |
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| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
