[发明专利]包括复合字线和多条带选择线的三维存储器器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980085614.5 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN113228292A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 崔志欣;周非;R·S·马卡拉 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/06;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/768;H01L27/1158 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠，该绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠在衬底上方形成。穿过该交替堆叠形成存储器堆叠结构。穿过该牺牲材料层的上部子集形成漏极选择层级沟槽，并且穿过该交替堆叠的每一层形成背侧沟槽。通过移除该牺牲材料层形成背侧凹陷部。将第一导电材料和第二导电材料顺序地沉积在该背侧凹陷部和该漏极选择层级沟槽中。可通过至少一种各向异性蚀刻工艺从该漏极选择层级沟槽移除该第二导电材料和该第一导电材料的部分，以提供作为通过该漏极选择层级沟槽内的腔体彼此横向间隔开并电隔离的多个组的漏极选择层级导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 复合 条带 选择 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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