[发明专利]具有被屏蔽板装置遮盖的进气机构的CVD反应器在审
| 申请号： | 201980080267.7 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113166940A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | J.奥道德 | 申请（专利权）人： | 艾克斯特朗欧洲公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 任丽荣 |
| 地址： | 德国黑*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CVD反应器(1)，包括：能被加热装置(4)加热到处理温度的用于容纳待处理的基板(3)的基座(2)，用于将处理气体导入布置在遮盖进气机构(5)的出气面(9’)的透气的屏蔽板(10)与基座(2)之间的处理室(12)的进气机构(5)。按本发明建议，屏蔽板(10)的边缘区域(19)被支撑环(20)这样地支撑，使得支撑面位于基座(2)的侧壁(27)外部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 装置 遮盖 机构 cvd 反应器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
