[发明专利]微型发光二极管以及微型发光二极管的制造方法在审

专利信息
申请号: 201980079816.9 申请日: 2019-12-19
公开(公告)号: CN113169253A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 木村俊介;金省兑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 纪雯
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种微型发光二极管(LED),包括:第一半导体层,掺杂有n型掺杂剂;第二半导体层,掺杂有p型掺杂剂;有源层,被布置在第一半导体层与第二半导体层之间,被配置成提供光;第一侧面,包括第一半导体层的竖直侧面;第二侧面,相对于第一侧面倾斜并且包括有源层的第一倾斜侧面、和第二半导体层的第二倾斜侧面;绝缘层,被布置成围绕第一侧面和第二侧面;以及反射层,被布置成部分围绕绝缘层中与第二侧面相对应的区域中的绝缘层。
搜索关键词: 微型 发光二极管 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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