[发明专利]具有增强性能的晶片级扇出封装在审
| 申请号： | 201980079375.2 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113169081A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·哈勒·哈蒙德;朱利奥·C·科斯塔 | 申请（专利权）人： | QORVO美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/31;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王博 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种增强晶片级封装的性能的封装工艺。所公开的封装包含多个模制化合物(26、34、42)、多层重布结构，以及具有装置层和所述装置层下方的裸片凸块(30)的经薄化裸片(10T)。所述多层重布结构包含在所述多层重布结构的底部处的封装接触件(50)以及将所述裸片凸块连接到所述封装接触件的重布互连件(46)。第一模制化合物(26)驻留于所述经薄化裸片周围以囊封所述经薄化裸片的侧壁，且延伸超出所述经薄化裸片的顶部表面以界定所述经薄化裸片上方的开口。第二模制化合物(34)驻留于所述多层重布结构与所述第一模制化合物之间以囊封所述装置层的底部表面和每一裸片凸块。第三模制化合物(42)填充所述开口且与所述经薄化裸片的所述顶部表面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 性能 晶片 级扇出 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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