[发明专利]具有增强性能的晶片级扇出封装

说明书

本公开涉及一种增强晶片级封装的性能的封装工艺。所公开的封装包含多个模制化合物(26、34、42)、多层重布结构，以及具有装置层和所述装置层下方的裸片凸块(30)的经薄化裸片(10T)。所述多层重布结构包含在所述多层重布结构的底部处的封装接触件(50)以及将所述裸片凸块连接到所述封装接触件的重布互连件(46)。第一模制化合物(26)驻留于所述经薄化裸片周围以囊封所述经薄化裸片的侧壁，且延伸超出所述经薄化裸片的顶部表面以界定所述经薄化裸片上方的开口。第二模制化合物(34)驻留于所述多层重布结构与所述第一模制化合物之间以囊封所述装置层的底部表面和每一裸片凸块。第三模制化合物(42)填充所述开口且与所述经薄化裸片的所述顶部表面接触。

技术领域

本公开涉及一种封装工艺，且更具体地说，涉及一种提供具有增强的热和电气性能的晶片级扇出(WLFO)封装的封装工艺。

背景技术

蜂窝式及无线装置的广泛利用驱动射频(RF)技术的快速发展。在其上制造RF装置的衬底在实现RF技术的高水平性能方面起着重要作用。在常规硅衬底上制造RF装置可能会受益于硅材料的低成本、大规模的晶片生产能力、完善的半导体设计工具以及完善的半导体制造技术。

尽管将常规硅衬底用于RF装置制造具有益处，但在行业中众所周知，常规硅衬底对于RF装置可能具有两个不合需要的特性：谐波失真和低电阻率值。谐波失真是在硅衬底上构建的RF装置中实现高水平线性度的关键障碍。另外，在硅衬底中遇到的低电阻率在微机电系统(MEMS)或其它无源组件的高频率下会使品质因子(Q)降级。

此外，高速和高性能晶体管更密集地集成在RF装置中，即使它们需要运载更多功率。因此，由于通过晶体管的大量电力、集成在RF装置中的大量晶体管和晶体管的高操作速度，RF装置生成的热量将显著增大。因此，需要以实现更好散热的配置来封装RF装置。

晶片级扇出(WLFO)封装技术和嵌入式晶片级球栅阵列(EWLB)技术当前在便携式RF应用中吸引大量注意力。WLFO和EWLB技术被设计成提供高密度输入/输出端口(I/O)以及低轮廓封装高度，而不会增加组件半导体芯片的大小。芯片上的I/O衬垫大小保持较小，从而将裸片大小保持为最小。此能力允许在单个晶片内密集地封装RF装置。

为了适应RF装置的增加的发热，减少硅衬底的有害谐波失真和质量因子损失，且利用WLFO/EWLB封装技术的优点，因此本公开的目的是提供用于具有增强的热和电气性能的晶片级扇出(WLFO)封装的封装工艺。

发明内容

本公开涉及一种提供具有增强的热和电气性能的晶片级扇出(WLFO)封装的封装工艺。根据示例性过程，提供一种包含第一完整裸片、第一模制化合物和第二模制化合物的模具封装。在此，所述第一完整裸片包含第一装置层、所述第一装置层上方的第一电介质层、所述第一电介质层上方的第一硅衬底，以及所述第一装置层下方的若干第一裸片凸块。所述第一模制化合物驻留于所述第一完整裸片周围以囊封所述第一完整裸片的侧壁，而所述第一硅衬底的背侧暴露。所述第二模制化合物形成于所述第一模制化合物下方以覆盖所述第一装置层的底部表面且囊封每一第一裸片凸块。接下来，基本上移除第一完整裸片的第一硅衬底以提供第一经薄化裸片且形成开口，所述开口在第一模制化合物内和第一经薄化裸片上方。第一经薄化裸片的顶部表面在开口的底部处暴露。随后施加第三模制化合物以基本上填充所述开口且直接接触所述第一经薄化裸片的所述顶部表面。在形成第三模制化合物之后，将第二模制化合物薄化以暴露每一第一裸片凸块。最后，在第二模制化合物下方形成多层重布结构。所述多层重布结构包含多层重布结构的底部处的若干封装接触件，以及将封装接触件连接到第一裸片凸块中的某些第一裸片凸块的重布互连件。

在示例性过程的一个实施例中，多层重布结构是无玻璃的，且重布互连件与每一第一裸片凸块之间的连接是无焊料的。

在示例性过程的一个实施例中，第一完整裸片提供微机电系统(MEMS)组件。