[发明专利]晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件有效
申请号: | 201980078416.6 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN113330583B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 尹海鹏;单伟;汤坤 | 申请(专利权)人: | 晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王冉 |
地址: | 河北省宁晋*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件,属于太阳能电池技术领域。其中,晶体硅太阳能电池包括晶体硅基体、设置在所述晶体硅基体上的具有通孔的钝化层、设置在所述钝化层上的载流子收集层、以及与所述载流子收集层接触的电极;所述载流子收集层通过所述钝化层上的通孔与所述晶体硅基体接触。该晶体硅太阳能电池中,在钝化层上开设通孔,并且载流子收集层通过钝化层上的通孔与晶体硅基体接触,在保证良好表面钝化效果的基础上,载流子可穿过晶体硅基体与载流子收集层接触的界面被电极收集,实现更加有效的载流子传输,降低晶体硅太阳能电池的串联电阻,提高晶体硅太阳能电池的填充因子,提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 组件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的