[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201980077442.7 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN113165118B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 四宫圭亮 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;H01L21/60;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括：在形成有多个凸块(22)的带凸块构件(2)的凸块形成面(2A)形成树脂层(13)的工序；对树脂层(13)照射激光(LB)来除去覆盖了凸块(22)表面的树脂层(13)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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