[发明专利]具有硅、锆和氧的导电溅射靶在审

专利信息
申请号: 201980073212.3 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN112996947A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: I·卡雷蒂吉安加斯普罗;W·C·S·德博斯谢尔;D·K·德布鲁恩;G·国彬;F·法克;H·埃利亚诺 申请(专利权)人: 梭莱先进镀膜工业公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/08;C23C4/10;C23C4/04;C23C4/18
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 王海宁
地址: 比利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用于溅射的靶(100),其包含SiZrxOy,其中x高于0.02但不高于5,并且y高于0.03但不高于2*(1+x),其中所述靶的XRD图谱具有如下峰:在28.29°±0.3°处的硅2θ峰,或在30.05°±0.3°处的四方相ZrO2的2θ峰。所述靶具有低的电阻率,其低于1000ohm.cm,优选低于100ohm.cm,更优选低于10ohm.cm,甚至低于1ohm.cm。
搜索关键词: 具有 导电 溅射
【主权项】:
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