[发明专利]硫族化物材料的保形无损伤封装在审
| 申请号： | 201980066838.1 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112997291A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·塞缪尔·西姆斯;安德鲁·约翰·麦克罗;沈美华;索斯藤·贝恩德·莱尔;谢恩·唐;凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳;约翰·霍昂;亚历山大·杜尔金;潜丹娜;维克兰特·莱 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于在半导体衬底上的硫族化物材料上方形成封装双层的方法和设备。方法涉及形成双层，所述双层包含利用脉冲等离子体式等离子体增强化学气相沉积(PP‑PECVD)直接在硫族化物材料沉积的阻挡层以及利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)在阻挡层上方沉积的封装层。在多种实施方案中，所述阻挡层利用无卤素的硅前体形成，而通过PEALD所沉积的所述封装层利用含卤素的硅前体与无氢含氮反应物形成。 | ||
| 搜索关键词： | 硫族化物 材料 保形无 损伤 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980066838.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
