[发明专利]图像传感器、图像传感器装置以及包括所述两者的计算机断层成像设备在审
| 申请号： | 201980054433.6 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN113169194A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 安德里亚斯·菲齐 | 申请（专利权）人： | AMS国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01T1/20 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 罗小晨;刘继富 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器(100)包括设置在半导体衬底(101)的相邻的第一部分和第二部分(110、120)中的多个光电二极管(112a、112b、112h)和模数转换器(121a、121b、121h)。光电二极管表现出X射线辐射耐受性。相邻行中若干图像传感器装置能够用于计算机断层成像设备中的X射线探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 装置 以及 包括 两者 计算机 断层 成像 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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