[发明专利]带有突出部和场板的氮化镓高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201980052432.8 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN112585762A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陶耿名;杨斌;李夏 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开的某些方面提供了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)。HEMT通常包括氮化镓(GaN)层(206)；以及氮化铝镓(AlGaN)层(208)，其设置在GaN层上方。HEMT还包括源电极(210)、栅电极(212)和漏电极(214)，其设置在AlGaN层上方。HEMT还包括(多个)n掺杂突起(240A，240B)，其设置在AlGaN层上方并且设置在以下至少一项之间：栅电极和漏电极、或源电极和栅电极。n掺杂突起中的每个n掺杂突起与栅电极、漏电极和源电极分开。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 突出 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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