[发明专利]SiC晶片和SiC晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201980048251.8 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112513348A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 长屋正武;神田贵裕;冈本武志;鸟见聪;野上晓;北畠真 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;东洋炭素株式会社;丰田通商株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/00;C30B33/12;H01L21/302;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;侯晓艳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。 | ||
| 搜索关键词： | sic 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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