[发明专利]具有后场板的复合器件在审
| 申请号： | 201980045444.8 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112368843A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | P·斯里瓦斯塔瓦;J·G·费奥雷恩扎;D·皮埃德拉 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/66;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有背面场板的半导体器件包括缓冲层，该缓冲层包括第一化合物半导体材料，其中该缓冲层外延到结晶衬底。半导体器件还包括设置在缓冲层的表面上的场板层。半导体器件还包括设置在所述场板层上的第一沟道层，其中第一沟道层包括第一化合物半导体材料。半导体器件还包括包括二维电子气的区域，其中二维电子气形成在第一沟道层和第二沟道层之间的界面处。半导体器件还包括由场板层的区域形成并且与场板层的其他区域电隔离的背面场板。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 后场 复合 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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