[发明专利]支柱形成用导电糊剂在审
| 申请号： | 201980039134.5 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN112272863A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 山口亮太;关根信博;矢田真;佐野义之 | 申请（专利权）人： | DIC株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B22F9/24;H01B1/22 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;孔博 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在作为现有方法的电镀法中，存在难以不受底切的影响而形成微细的支柱这样的问题。另外，在化学镀法中，存在难以没有空隙地形成相同形状的支柱这样的问题。因此，本发明的目的在于，使用本发明的支柱形成用导电糊剂，通过埋入法制作支柱，由此能够防止底切，并且再现性良好地提供相同形状的金属柱。发现了以微细的金属微粒且特定的微粒含有率为特征的导电糊剂在支柱的形成中特别有效。 | ||
| 搜索关键词： | 支柱 形成 导电 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
