[发明专利]积层构造体及积层构造体的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 201980038005.4 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112292758A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 富永淳二;宫田典幸;鎌田善己;国岛巌 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人产业技术综合研究所;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;C01B19/04;H01L27/105;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 范海云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种原子排列的稳定性优异的积层构造体及积层构造体的制造方法、以及使用所述积层构造体的半导体装置。本发明的积层构造体的特征在于：具有以锗与碲作为主成分而形成的合金层A、及以锑及铋的任一种与碲作为主成分而形成的合金层B，且在所述合金层A及所述合金层B的至少任一层中含有硫及硒的至少任一硫族元素原子。 | ||
| 搜索关键词： | 构造 制造 方法 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
