[发明专利]具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法在审
| 申请号： | 201980030337.8 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN112074958A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | N·多;苏千乗;杨任伟 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备包括：半导体衬底，该半导体衬底具有间隔开的源极区和漏极区，其中衬底的沟道区在该源极区与该漏极区之间延伸；多晶硅的浮栅，该浮栅设置在沟道区的第一部分上方并且通过具有第一厚度的绝缘材料与该第一部分绝缘，其中该浮栅具有终止于锐利边缘的倾斜上表面；多晶硅的字线栅，该字线栅设置在沟道区的第二部分上方并且通过具有第二厚度的绝缘材料与该第二部分绝缘；以及多晶硅的擦除栅，该擦除栅设置在源极区上方并且通过具有第三厚度的绝缘材料与该源极区绝缘，其中该擦除栅包括包绕在浮栅的锐利边缘周围并与该锐利边缘绝缘的凹口。该第三厚度大于该第一厚度，并且该第一厚度大于该第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 绝缘 栅极 氧化物 分裂 闪存 存储器 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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