[发明专利]用于去除干蚀刻残渣的清洗液及使用其的半导体基板的制造方法在审
| 申请号： | 201980018203.4 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111837218A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 菊永孝裕;堀江宏彰;青山公洋;田岛恒夫 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/50;C11D17/08;H01L21/28;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明，可以提供如下清洗液，其含有：胺化合物(A)0.2～20质量％、水溶性有机溶剂(B)40～70质量％及水，前述胺化合物(A)含有选自由正丁胺、己胺、辛胺、1,4‑丁二胺、二丁胺、3‑氨基‑1‑丙醇、N,N‑二乙基‑1,3‑二氨基丙烷、及双(六亚甲基)三胺组成的组中的1者以上，并且前述水溶性有机溶剂(B)在20℃下的粘度为10mPa·s以下，所述清洗液的pH为9.0～14的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 蚀刻 残渣 清洗 使用 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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