[发明专利]光电转换元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980016402.1 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN112514082A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 大冈青日;都鸟顕司;藤永贤治 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0465 | 分类号： | H01L31/0465;H01L51/44 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 于丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的光电转换元件(1)具备：第1光电转换部(3A)，具备下部电极(4A)、光电转换部(5A)及上部电极(6A)；以及第2光电转换部(3B)，具备下部电极(4B)、光电转换部(5B)及上部电极(6B)。在下部电极(4B)上形成有导电层(14)。上部电极(6A)与下部电极(4B)通过由被嵌入第1槽(11)内的上部电极(6A)的一部分构成的导电部和导电层(14)而电连接，该第1槽(11)使导电层(14)的表面暴露，且将光电转换层(5A)和光电转换层(5B)分离。上部电极(6A)与上部电极(6B)被第2槽(12)分离，该第2槽(12)被设置为使设置于光电转换层(5B)的阶梯部(17)的台面暴露，且底面与导电层(14)的表面重合。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝能源系统株式会社，未经株式会社东芝;东芝能源系统株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980016402.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
