[发明专利]光电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，具备：

基板；

第1光电转换部，具备设置于所述基板上的第1下部电极、配置于所述第1下部电极上的第1光电转换层和配置于所述第1光电转换层上的第1上部电极；

第2光电转换部，具备在所述基板上与所述第1下部电极邻接地设置且与所述第1下部电极分离的第2下部电极、在所述第2下部电极的与所述第1下部电极邻接的一部分区域上形成的导电层、配置于所述第2下部电极及所述导电层上的第2光电转换层和配置于所述第2光电转换层上的第2上部电极；

连接部，具备被设置为使所述导电层的表面的一部分的第1表面区域暴露且将所述第1光电转换层与所述第2光电转换层分离的第1槽和由被嵌入所述第1槽内的所述第1上部电极的一部分构成的导电部，该连接部经由所述导电部及所述导电层将所述第1上部电极与所述第2下部电极电连接；以及

第2槽，被设置为将所述第1上部电极与所述第2上部电极分离，并且被设置为使设置于所述第2光电转换层的所述第1光电转换层侧的阶梯部的台面暴露，且底面与所述导电层的表面的所述第2光电转换层侧的一部分的第2表面区域重合。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述导电层的所述第2表面区域中的至少一部分暴露于所述第2槽内。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的光电转换元件，其中，

所述导电层具有15nm以上的厚度。

4.根据权利要求1至权利要求3中的任意一项所述的光电转换元件，其中，

所述第2光电转换层在所述阶梯部中的所述截面的宽度比所述第2上部电极的厚度长。

5.根据权利要求1至权利要求4中的任意一项所述的光电转换元件，其中，

形成于所述第2槽内的所述导电层的所述第2表面的宽度为25μm以上。

6.根据权利要求1至权利要求5中的任意一项所述的光电转换元件，其中，

所述第1光电转换层及第2光电转换层具备活性层，所述导电层比所述活性层硬。

7.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的光电转换元件，其中，

所述第1光电转换层及第2光电转换层具备活性层，所述活性层包含有机半导体或者具有由ABX₃表示的组成的钙钛矿化合物，其中A为一价阳离子，B为二价阳离子，X为一价阴离子，

所述导电层具有从金属材料层、碳材料层、使金属元素的粉末分散于高分子材料中而得到的金属-高分子复合材料层以及使所述碳材料的粉末分散于高分子材料中而得到的碳-高分子复合材料层中选择的至少一个层，所述金属材料层含有从由铝、金、银、铜、铂、铋、铅、锡、锌、铁、钴、镍、钛、锆、钼、钨、铬及钽形成的组中选择的至少一种所述金属元素。

8.根据权利要求1至权利要求7中的任意一项所述的光电转换元件，其中，

所述第1上部电极及第2上部电极包含从金属材料、碳材料、使金属元素的粉末分散于高分子材料中而得到的金属-高分子复合材料以及使所述碳材料的粉末分散于高分子材料中而得到的碳-高分子复合材料中选择的至少一者，所述金属材料含有从由铝、金、银、铜、铂、铟、铋、铅、锡、锌、铁、钴、镍、钛、锆、钼、钨、铬及钽形成的组中选择的至少一种所述金属元素。

9.根据权利要求1至权利要求8中的任意一项所述的光电转换元件，其中，

所述基板为透明基板，该透明基板包含从由聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺及液晶聚合物形成的组中选择的至少一种软质材料，

所述第1下部电极及第2下部电极为透明电极，该透明电极包含从由氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡、掺氟氧化锡、掺镓氧化锌、掺铝氧化锌、铟-锌氧化物、铟-镓-锌氧化物、聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)及石墨烯形成的组中选择的至少一者。