[发明专利]形成金属硫系化物柱体的方法在审
| 申请号： | 201980014978.4 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111758155A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 阿米里塔·B·穆利克;斯里尼瓦·甘迪科塔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 兹描述产生自对准结构的方法，所述自对准结构包含金属硫系化物。某些方法包含以下步骤：于基板特征中形成含金属膜，并将含金属膜暴露于硫系前驱物，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。某些方法包含以下步骤：于基板特征中形成含金属膜；使含金属膜膨胀，以形成柱体；和将柱体暴露于硫系前驱物，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。某些方法包含以下步骤：在基板特征中直接形成金属硫系化物柱体，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。亦描述形成自对准通孔的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 硫系化物 柱体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
