[发明专利]共享一层的薄膜电阻器与电容器的顶板在审
| 申请号： | 201980014398.5 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111742396A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | D·康德;Y·邵;D·库伦 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路(IC)(295)包括具有半导体表面层(209)的衬底(208)，该半导体表面层包括具有互连晶体管的功能电路(180)，其上包括介电层(230)，该介电层(230)上方具有包括金属层级的金属堆叠。包括至少一种金属的薄膜电阻器(TFR)层(260a、260b)位于金属堆叠内。至少一个电容器(280、285)位于金属堆叠中，包括在由金属层级(240)之一形成的金属底板上方的电容器介电层(245)。电容器顶板(260a)形成在电容器介电层(245)上，并且由相同的TFR层形成的至少一个电阻器(290)在电容器(280、285)的侧向上。 | ||
| 搜索关键词： | 共享 一层 薄膜 电阻器 电容器 顶板 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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